近日，我院青年博士段毅伟的研究工作“Analyzing switching variability of SiNx-based RRAM in terms of Joule heating dissipation”在中科院SCI大类二区期刊Applied Physics Letters上在线发表，并被选为“Featured Articles”，段毅伟博士为该工作的第一作者，我校为第一完成单位。
该工作从焦耳热耗散的角度分析了具备活性金属电极的阻变存储器开关变异性的起源，高（低）热导率电极器件表现出较低的LRS（HRS）变异性。通过分析反应电极的I-V特性和电流传导机理，提出了反应电极的热导率会显著影响参与开关过程的离子数量和开关层的空位分布，从而导致开关性能的差异。该研究为设计低开关变异性的阻变存储器提供了思路。
Applied Physics Letters是美国物理联合会（AIP）旗下标志性期刊，Nature Index（自然指数）首批收录期刊。该刊主要报道应用物理领域的最前沿的重大发现，是国际应用物理领域最具影响力的杂志之一。
以上工作得到了陕西省高校科协青年人才托举计划项目（20240147）的支持。
原文链接：https://pubs.aip.org/aip/apl/article-abstract/125/17/173501/3317580/Analyzing-switching-variability-of-SiNx-based-RRAM?redirectedFrom=fulltext
